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然而，福建福州大多数报道的硅基MSCs仍存在界面连接弱、能量密度低、制造工艺复杂等问题，从而阻碍了其与硅芯片的集成。超级池投产(f)4种器件的奈奎斯特图。(d)芯片式MSCs的拉贡（Ragone）图谱，蓄电通过与rGO-CNT、蓄电VN/CNT、PPy、LSG等进行比较，可以看到MXene基芯片式MSCs同时具有较高的能量密度和功率密度，展现出良好的电化学存储能力。

图4.MSCs的集成与功率密度特性(a)单个器件、福建福州串联、并联的器件在10mVs-1的CV曲线。该工作展示了一种可扩展的、超级池投产低成本的处理-切割-涂层(TCC)制造平台，用于Ti3C2TxMXene基芯片式MSCs。

该TCC制造平台为开发基于二维材料的芯片式储能器件提供了新的平台，蓄电在下一代半导体应用领域具有广阔的前景。

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